大奇科普库
Dynamic Random-Access Memory

DRAM 动态随机存取存储器

01
FAMILY

DRAM 家族

它们都用 DRAM 单元存数据,但服务于不同设备。

DRAMDynamic Random-Access Memory掉电后数据消失的工作内存
02
COMPARE

DDR3 / DDR4 / DDR5

数字代表 DDR 标准的代际,不是芯片的制程节点。

01

DDR3

成熟
场景
工控 · 网络设备 · 老平台
形态
主板颗粒 / DIMM
性能
带宽较低 · 平台成熟
制程
成熟制程为主
光刻
DUV 为主
代表原厂Winbond · Nanya
02

DDR4

广泛应用
场景
PC · 服务器 · 嵌入式
形态
主板颗粒 / DIMM
性能
带宽与成本平衡
制程
成熟至 10nm-class
光刻
DUV 多重曝光为主
代表原厂Samsung · SK hynix · Micron · Nanya · CXMT
03

DDR5

先进
场景
新服务器 · 新 PC · 数据中心
形态
主板颗粒 / DIMM
性能
更高带宽 · 更低功耗
制程
先进 10nm-class 为主
光刻
DUV;先进节点可导入 EUV
代表原厂Samsung · SK hynix · Micron · Nanya · CXMT
对比提示
三代产品,共用 DRAM 基础

把鼠标移到任意一列,可以集中查看它的应用、制造与产品定位。

更多细节

主图只保留核心区别,需要时再展开

01DDR3、DDR4、DDR5 里的数字是什么意思?

数字表示 DDR 标准的第几代:DDR3 是第三代,DDR4 是第四代,DDR5 是第五代。它不是 3nm、4nm、5nm,也不代表芯片制程。代际升级通常带来更高传输速率、更低工作电压和更大容量,但不同代产品不能直接互换,还需要处理器、内存控制器和主板共同支持。

02国内 DDR 技术的最前沿进展是什么?

从原厂公开产品看,国内已经进入 DDR5 产品化阶段。截至 2026 年 9 月,长鑫存储官网列出的 DDR5 颗粒最高速率已突破 8000Mbps,容量覆盖 16Gb 和 24Gb,并已形成面向服务器、工作站和 PC 的多种模组。官网没有同时披露具体制程节点和光刻路线,因此不能仅凭“DDR5”反推是否使用某一代制程或 EUV。查看原厂产品信息

03DDR5 / HBM 一定要用 EUV 光刻机吗?

不一定。DDR5 和 HBM 是产品与接口类型,不是对光刻设备的硬性规定。Samsung、SK hynix 的部分先进 DDR5 节点已经使用 EUV;但 Micron 的 1β DDR5 采用浸没式 DUV 与多重图形技术,同一 1β 节点也用于 HBM3E。到了 Micron 1γ 才导入 EUV。HBM 额外依赖 TSV、晶圆减薄和堆叠封装,这些也不能等同于 EUV。Micron 1β说明 · Micron HBM3E说明