DDR3
成熟- 场景
- 工控 · 网络设备 · 老平台
- 形态
- 主板颗粒 / DIMM
- 性能
- 带宽较低 · 平台成熟
- 制程
- 成熟制程为主
- 光刻
- DUV 为主
大奇科普库
它们都用 DRAM 单元存数据,但服务于不同设备。
数字代表 DDR 标准的代际,不是芯片的制程节点。
把鼠标移到任意一列,可以集中查看它的应用、制造与产品定位。
主图只保留核心区别,需要时再展开
数字表示 DDR 标准的第几代:DDR3 是第三代,DDR4 是第四代,DDR5 是第五代。它不是 3nm、4nm、5nm,也不代表芯片制程。代际升级通常带来更高传输速率、更低工作电压和更大容量,但不同代产品不能直接互换,还需要处理器、内存控制器和主板共同支持。
从原厂公开产品看,国内已经进入 DDR5 产品化阶段。截至 2026 年 9 月,长鑫存储官网列出的 DDR5 颗粒最高速率已突破 8000Mbps,容量覆盖 16Gb 和 24Gb,并已形成面向服务器、工作站和 PC 的多种模组。官网没有同时披露具体制程节点和光刻路线,因此不能仅凭“DDR5”反推是否使用某一代制程或 EUV。查看原厂产品信息
不一定。DDR5 和 HBM 是产品与接口类型,不是对光刻设备的硬性规定。Samsung、SK hynix 的部分先进 DDR5 节点已经使用 EUV;但 Micron 的 1β DDR5 采用浸没式 DUV 与多重图形技术,同一 1β 节点也用于 HBM3E。到了 Micron 1γ 才导入 EUV。HBM 额外依赖 TSV、晶圆减薄和堆叠封装,这些也不能等同于 EUV。Micron 1β说明 · Micron HBM3E说明