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High Bandwidth Memory

HBM 高带宽内存

把多层 DRAM 垂直堆叠,并与 GPU 放在同一个 Interposer 上,用很宽、很短的并行接口持续供给数据。

HBM 结构示意:多层 DRAM Die 通过 TSV 连接 Base Die,并经 Silicon Interposer 内的宽并行通道连接 GPU。
01
MEMORY STACK

数据分布在多层 DRAM Die 中

HBM 不把内存芯片铺成长条,而是把多层 DRAM Die 垂直堆叠,在更小面积内提供更多存储通道。

更多细节

主图先讲清结构,需要时再展开

01HBM 堆栈内部由什么组成?

上方是多层 DRAM Die,层间通过 TSV 与微凸点连接;底部 Base Die 负责承接通道和接口,再向下连接 Silicon Interposer。

02HBM 的高带宽从哪里来?

关键不只是内存运行频率,而是 HBM 在很短距离内提供非常宽的并行数据接口。大量通道可以同时搬运数据,从而提高单位时间内的数据吞吐量。

03HBM 与 DDR 最直观的差异
HBM垂直堆叠,与 GPU 同封装并通过 Interposer 连接。
DDR通常位于独立 DIMM 或主板颗粒上,通过较窄、较长的通道连接处理器。
直观取舍HBM 强调高带宽与封装密度;DDR 更强调通用性、容量配置和可扩展性。